삼성전자가 2030년까지 메모리 반도체 뿐만 아니라 시스템 반도체 분야에서도 글로벌 1위를 달성하겠다는 '반도체 비전 2030'을 공식화했다. 회사는 2030년까지 시스템 반도체 분야 연구개발 및 생산시설 확충에 133조원을 투자하고, 전문인력 1만5000여명을 채용한다.

삼성전자는 또한 시스템 반도체 인프라와 기술력을 공유해 팹리스(Fabless, 반도체 설계 전문업체), 디자인하우스(Design House, 설계 서비스 기업) 등 국내 시스템 반도체 생태계의 경쟁력을 강화하겠다는 방침이다.

24일 삼성전자에 따르면 회사는 시스템 반도체(파운드리 및 시스템LSI 사업) 사업경쟁력 강화를 위해 2030년까지 국내 R&D 분야에 73조원, 최첨단 생산 인프라에 60조원을 투자하기로 결정했다. 삼성전자는 향후 화성캠퍼스 신규 EUV라인을 활용해 생산량을 증대하고, 국내 신규 라인 투자도 지속 추진할 계획이다.

삼성전자는 또 기술경쟁력 강화를 위해서 시스템 반도체 R&D 및 제조 전문인력 1만 5천명을 채용할 예정이라고 밝혔다. 삼성전자는 "2030년까지 연평균 11조원의 R&D 및 시설투자가 집행되고, 생산량이 증가함에 따라 42만명의 간접 고용유발 효과가 발생할 것으로 예상된다"고 설명했다.

이날 삼성전자는 국내 팹리스 업체를 지원책 등 상생방안도 함께 발표했다. 국내 중소 팹리스 고객들이 제품 경쟁력을 강화하고 개발기간도 단축할 수 있도록 인터페이스IP, 아날로그 IP, 시큐리티(Security) IP 등 삼성전자가 개발한 IP(Intellectual Property, 설계자산)를 지원할 예정이다. 삼성전자가 개발한 설계/불량 분석 툴(Tool) 및 소프트웨어 등도 지원한다.

이외에도 삼성전자는 반도체 위탁생산 물량 기준도 완화해, 국내 중소 팹리스업체의 소량제품 생산을 지원하겠다고 밝혔다. 국내 중소 팹리스 업체의 개발활동에 필수적인 MPW(Multi-Project Wafer)프로그램을 공정당 년 2~3회로 확대 운영한다. 삼성전자는 국내 디자인하우스 업체와의 외주협력도 확대해 나가기로 했다.